PTB20191中文資料愛(ài)立信數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
PTB20191規(guī)格書(shū)詳情
Description
The 20191 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 26 Vdc operation from 1.78 to 1.92 GHz. It is rated at 12 watts (CW) minimum output power, or 15 watts (PEP) output power. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.
? Class AB Characteristics
? 26 Volt, 1.9 GHz Characterization
- Output Power = 12 W(CW), 15 W(PEP)
? Internal Input Matching
? Gold Metallization
? Silicon Nitride Passivated
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào):
PTB20191
- 功能描述:
射頻放大器 RF Bipolar Trans
- RoHS:
否
- 制造商:
Skyworks Solutions, Inc.
- 類(lèi)型:
Low Noise Amplifier
- 工作頻率:
2.3 GHz to 2.8 GHz
- P1dB:
18.5 dBm
- 輸出截獲點(diǎn):
37.5 dBm
- 功率增益類(lèi)型:
32 dB
- 噪聲系數(shù):
0.85 dB
- 工作電源電壓:
5 V
- 電源電流:
125 mA
- 測(cè)試頻率:
2.6 GHz
- 最大工作溫度:
+ 85 C
- 安裝風(fēng)格:
SMD/SMT
- 封裝/箱體:
QFN-16
- 封裝:
Reel
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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詢(xún)價(jià) |