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PTB20167中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTB20167
廠商型號

PTB20167

功能描述

60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor

文件大小

47.22 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡稱

Ericsson愛立信

中文名稱

愛立信公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-28 16:30:00

PTB20167規(guī)格書詳情

Description

The 20167 is an NPN, common base RF power transistor intended for 24 Vdc operation from 850 to 960 MHz. Rated at 60 watts minimum output power, it is specifically designed for class C power amplifier applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100 lot traceability is standard.

? 24 Volt, 905 MHz Common Base Characteristics

- Output Power = 60 W

- Power Gain = 7.0 dB Min

- Efficiency = 60 Min

? Double Input/Output Matched for Wideband Performance

? Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    PTB20167

  • 制造商:

    ERICSSON

  • 制造商全稱:

    Ericsson

  • 功能描述:

    60 Watts, 850-960 MHz RF Power Transistor

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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