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PTF081301E中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

PTF081301E
廠商型號(hào)

PTF081301E

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 869 - 960 MHz

文件大小

289.44 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-3-30 10:00:00

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PTF081301E規(guī)格書詳情

Description

The PTF081301E and PTF081301F are 130-watt, internally-matched GOLDMOS FETs intended for EDGE and CDMA applications in the 869 to 960 MHz bands. Thermally-enhancedpackaging provides the coolest operation available. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.

Features

? Thermally-enhanced packages

? Broadband internal matching

? Typical EDGE performance

- Average output power = 65 W

- Gain = 18 dB

- Efficiency = 40

? Typical CW performance

- Output power at P–1dB = 150 W

- Gain = 17 dB

- Efficiency = 55

? Integrated ESD protection: Human Body Model, Class 1 (minimum)

? Excellent thermal stability

? Low HCI drift

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 130 W (CW) output power

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PTF081301E

  • 制造商:

    INFINEON

  • 制造商全稱:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 130 W, 869 - 960 MHz

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
infinon
24+
800
詢價(jià)
Infineon(英飛凌)
21+
高頻
370
原裝現(xiàn)貨,假一罰十
詢價(jià)
INF
23+
SMD
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
23+
11200
原廠授權(quán)一級(jí)代理、全球訂貨優(yōu)勢(shì)渠道、可提供一站式BO
詢價(jià)
INFINEON
NA
5500
一級(jí)代理 原裝正品假一罰十價(jià)格優(yōu)勢(shì)長(zhǎng)期供貨
詢價(jià)
INFINEON
24+
SMD
5500
長(zhǎng)期供應(yīng)原裝現(xiàn)貨實(shí)單可談
詢價(jià)
INFINEO
2020+
高頻
80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
ERICSSON/愛立信
23+
TO-59
8510
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
INFINEON/英飛凌
21+
19600
一站式BOM配單
詢價(jià)
INFINEON
23+
NA
7000
詢價(jià)

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