PTF10149中文資料愛(ài)立信數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠(chǎng)商型號(hào) |
PTF10149 |
| 功能描述 | 70 Watts, 921-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor |
| 文件大小 |
215.46 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
6 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠(chǎng)商 | Ericsson Microelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
Ericsson【愛(ài)立信】 |
| 中文名稱(chēng) | 愛(ài)立信官網(wǎng) |
| 原廠(chǎng)標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-18 19:09:00 |
PTF10149規(guī)格書(shū)詳情
Description
The PTF 10149 is an internally matched 70–watt GOLDMOS FET intended for cellular and GSM amplifier applications from 921 to 960 MHz. It operates with 50 efficiency and 16 dB typical gain. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure excellent device lifetime and reliability.
? INTERNALLY MATCHED
? Performance at 960 MHz, 26 Volts
- Output Power = 70 Watts
- Power Gain = 16.0 dB Typ
- Efficiency = 50 Typ
? Full Gold Metallization
? Silicon Nitride Passivated
? Excellent Thermal Stability
? 100 Lot Traceability
產(chǎn)品屬性
- 型號(hào)：
PTF10149
- 功能描述：
射頻放大器 RF LDMOS Transistor
- RoHS：
否
- 制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
- 類(lèi)型：
Low Noise Amplifier
- 工作頻率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
- P1dB：
18.5 dBm
- 輸出截獲點(diǎn)：
37.5 dBm
- 功率增益類(lèi)型：
32 dB
- 噪聲系數(shù)：
0.85 dB
- 工作電源電壓：
5 V
- 電源電流：
125 mA
- 測(cè)試頻率：
2.6 GHz
- 最大工作溫度：
+ 85 C
- 安裝風(fēng)格：
SMD/SMT
- 封裝/箱體：
QFN-16
- 封裝：
Reel
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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