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PTF10162中文資料愛立信數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTF10162
廠商型號(hào)

PTF10162

功能描述

18 Watts, 860-960 MHz GOLDMOS Field Effect Transistor

文件大小

341.34 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Ericsson Microelectronics
企業(yè)簡稱

Ericsson愛立信

中文名稱

愛立信公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-5-16 10:06:00

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PTF10162規(guī)格書詳情

Description

The PTF 10139 is a GOLDMOS FET intended for amplifier applications to 860-960 MHz. This 60–watt device operates at 55 efficiency with 12.5 dB typical gain. Nitride surface passivation and full gold metallization ensure excellent device lifetime and reliability.

? Performance at 960 MHz, 28 Volts

- Output Power = 60 Watts Min

- Power Gain = 12.5 dB Typ

- Efficiency = 55 Typ

? Full Gold Metallization

? Silicon Nitride Passivated

? Excellent Thermal Stability

? Back Side Common Source

? 100 Lot Traceability

? Available in Package 20256 as PTF 10138

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    PTF10162

  • 功能描述:

    射頻放大器 RF LDMOS Transistor

  • RoHS:

  • 制造商:

    Skyworks Solutions, Inc.

  • 類型:

    Low Noise Amplifier

  • 工作頻率:

    2.3 GHz to 2.8 GHz

  • P1dB:

    18.5 dBm

  • 輸出截獲點(diǎn):

    37.5 dBm

  • 功率增益類型:

    32 dB

  • 噪聲系數(shù):

    0.85 dB

  • 工作電源電壓:

    5 V

  • 電源電流:

    125 mA

  • 測試頻率:

    2.6 GHz

  • 最大工作溫度:

    + 85 C

  • 安裝風(fēng)格:

    SMD/SMT

  • 封裝/箱體:

    QFN-16

  • 封裝:

    Reel

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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