PTF191601中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
PTF191601 |
| 功能描述 | LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz |
| 文件大小 |
61.2 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-6 18:06:00 |
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PTF191601規(guī)格書詳情
Description
The PTF191601 is a 160 W, internally matched GOLDMOS FET intended for GSM and EDGE applications in the 1930 to 1990 MHz band. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability.
Features
? Broadband internal matching
? Typical EDGE performance
- Average output power = 62 W
- Gain = 14 dB
- Efficiency = 32
- EVM = 1.7
? Typical CW performance
- Output power at P–1dB = 180 W
- Gain = 13 dB
- Efficiency = 47
? Integrated ESD protection: Human Body
Model, Class 1 (minimum)
? Excellent thermal stability
? Low HCI drift
? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V,
160 W (CW) output power
產(chǎn)品屬性
- 型號：
PTF191601
- 制造商：
INFINEON
- 制造商全稱：
Infineon Technologies AG
- 功能描述：
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 160 W, 1930-1990 MHz
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
1844+ |
NA |
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