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PTFA080551F分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA080551F
廠商型號(hào)

PTFA080551F

參數(shù)屬性

PTFA080551F 封裝/外殼為2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產(chǎn)品描述:IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 55 W, 869 ??960 MHz
IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2

封裝外殼

2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

文件大小

233.55 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-18 23:00:00

PTFA080551F規(guī)格書詳情

PTFA080551F屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA080551F晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件,器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    PTFA080551F V1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    托盤

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    960MHz

  • 增益:

    18.5dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    55W

  • 封裝/外殼:

    2-扁平封裝,葉片引線,帶法蘭

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    H-37265-2

  • 描述:

    IC FET RF LDMOS 55W H-37265-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
Infineon(英飛凌)
23+
標(biāo)準(zhǔn)封裝
7298
原廠渠道供應(yīng),大量現(xiàn)貨,原型號(hào)開(kāi)票。
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