PTFA081501E 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

原廠料號(hào)：PTFA081501E品牌：Infineon(英飛凌)

原裝正品,假一賠十

PTFA081501E是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商Infineon(英飛凌)/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝的PTFA081501E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

• 芯片型號(hào)：

  PTFA081501E

• 規(guī)格書：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

  INFINEON【英飛凌】詳情

• 廠商全稱：

  Infineon Technologies AG

• 中文名稱：

  英飛凌科技股份公司

• 內(nèi)容頁數(shù)：

  10 頁

• 文件大小：

  258.51 kb

• 資料說明：

  Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 864-900 MHz