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PTFA192001E分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
PTFA192001E |
參數屬性 | PTFA192001E 封裝/外殼為H-36260-2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2 |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
封裝外殼 | H-36260-2 |
文件大小 |
734.65 Kbytes |
頁面數量 |
11 頁 |
生產廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2025-1-15 19:06:00 |
PTFA192001E規(guī)格書詳情
PTFA192001E屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的PTFA192001E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號:
PTFA192001EV4R250XTMA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
- 包裝:
卷帶(TR)
- 晶體管類型:
LDMOS
- 頻率:
1.99GHz
- 增益:
15.9dB
- 額定電流(安培):
10μA
- 功率 - 輸出:
50W
- 封裝/外殼:
H-36260-2
- 供應商器件封裝:
H-36260-2
- 描述:
FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
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