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PTFA192001E分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料

PTFA192001E
廠商型號

PTFA192001E

參數屬性

PTFA192001E 封裝/外殼為H-36260-2;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻;產品描述:FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs
FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

封裝外殼

H-36260-2

文件大小

734.65 Kbytes

頁面數量

11

生產廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2025-1-15 19:06:00

PTFA192001E規(guī)格書詳情

PTFA192001E屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的PTFA192001E晶體管 - FET,MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件,器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    PTFA192001EV4R250XTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - FET,MOSFET - 射頻

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 晶體管類型:

    LDMOS

  • 頻率:

    1.99GHz

  • 增益:

    15.9dB

  • 額定電流(安培):

    10μA

  • 功率 - 輸出:

    50W

  • 封裝/外殼:

    H-36260-2

  • 供應商器件封裝:

    H-36260-2

  • 描述:

    FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2

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