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PTFA210601E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTFA210601E |
| 參數(shù)屬性 | PTFA210601E 封裝/外殼為H-36265-2；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻；產(chǎn)品描述：IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 2110 ??2170 MHz |
| 文件大小 |
260.19 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
10 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時(shí)間 | 2024-11-18 19:09:00 |
PTFA210601E規(guī)格書詳情
PTFA210601E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA210601E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTFA210601EV4XWSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.14GHz
- 增益：
16dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
12W
- 封裝/外殼：
H-36265-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-36265-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 60W H-36265-2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價(jià) | |||
LNFINEON |
23+ |
TO-63 |
850 |
專營高頻管模塊,全新原裝! |
詢價(jià) | ||
INF |
2022+ |
H-36265-2 |
57550 |
詢價(jià) | |||
LNFINEON |
2022 |
TO-63 |
18 |
原廠原裝正品,價(jià)格超越代理 |
詢價(jià) | ||
INFINEON |
24+ |
H-36265-2 |
3150 |
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詢價(jià) | ||
INFINEON |
22+ |
H-36265-2 |
58000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道。 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
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8510 |
原裝正品代理渠道價(jià)格優(yōu)勢 |
詢價(jià) | ||
INFINEON/英飛凌 |
21+ |
H362652 |
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LNFINEON |
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TO-63 |
90000 |
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詢價(jià) |
