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PTFA220081M 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

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  • 廠家型號(hào)：

    PTFA220081M

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    1118

  • 產(chǎn)品封裝：

    高頻管

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    2017+

  • 庫存類型：

    優(yōu)勢(shì)庫存

  • 更新時(shí)間：

    2022-6-12 10:12:00

  • 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào)：PTFA220081M品牌：INFINEON/英飛凌

原裝正品,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)。

PTFA220081M是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/英飛凌/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝高頻管/的PTFA220081M晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

  • 芯片型號(hào)：

    PTFA220081M

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    17 頁

  • 文件大?。?/span>

    1192.97 kb

  • 資料說明：

    High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz

產(chǎn)品屬性

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供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市賽芯源科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    歐陽先生

  • 手機(jī)：

    14776494148

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    14776494148

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)振興路華勻大廈2棟527

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