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PTFA260851F分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTFA260851F |
| 參數(shù)屬性 | PTFA260851F 封裝/外殼為2-扁平封裝，葉片引線；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產品描述：IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 85 W, 2500 ??2700 MHz |
| 封裝外殼 | 2-扁平封裝，葉片引線 |
| 文件大小 |
398.09 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網 |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-3-13 16:00:00 |
| 人工找貨 | PTFA260851F價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
PTFA260851F規(guī)格書詳情
PTFA260851F屬于分立半導體產品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產的PTFA260851F晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產品屬性
更多- 產品編號：
PTFA260851F V1 R250
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.68GHz
- 增益：
14dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
85W
- 封裝/外殼：
2-扁平封裝，葉片引線
- 供應商器件封裝：
H-31248-2
- 描述：
IC FET RF LDMOS 85W H-31248-2
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
INFINEON |
NA |
5500 |
一級代理 原裝正品假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
22+ |
H312482 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-31248-2 |
21000 |
100%進口原裝!長期供應!絕對優(yōu)勢價格(誠信經營)! |
詢價 | ||
INFINEON |
24+ |
4 |
詢價 | ||||
INFINEON |
24+ |
SMD |
5500 |
長期供應原裝現(xiàn)貨實單可談 |
詢價 | ||
INFINEON |
0625/0707 |
DIP |
1265 |
全新原裝現(xiàn)貨絕對自己公司特價庫 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-31248-2 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
M0DULE |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
M0DULE |
7000 |
詢價 |
