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PTFA212001E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTFA212001E |
| 參數(shù)屬性 | PTFA212001E 封裝/外殼為H-36260-2；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 2110 ??2170 MHz |
| 封裝外殼 | H-36260-2 |
| 文件大小 |
402.76 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
11 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-24 13:02:00 |
PTFA212001E規(guī)格書詳情
PTFA212001E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA212001E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTFA212001EV4R250XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.14GHz
- 增益：
15.8dB
- 額定電流（安培）：
10μA
- 功率 - 輸出：
50W
- 封裝/外殼：
H-36260-2
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-36260-2
- 描述：
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon Technologies |
21+ |
H-36260-2 |
20000 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
H-37260-2 |
57550 |
詢價 | |||
INF |
21+ |
NA |
12588 |
原裝正品,自己庫存 假一罰十 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
SMDQFN |
3000 |
一級代理原廠VIP渠道,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、 |
詢價 | ||
ADI |
23+ |
H-37260-2 |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
SMDQFN |
12800 |
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詢價 | ||
ERICSSON/愛立信 |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
H-37260-2 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |
