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PTFA211801E分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

PTFA211801E
廠商型號(hào)

PTFA211801E
參數(shù)屬性

PTFA211801E 封裝/外殼為H-36260-2；包裝為卷帶（TR）；類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 ??2170 MHz
FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2
封裝外殼

H-36260-2
文件大小

275.87 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

11 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

Infineon【英飛凌】

中文名稱(chēng)

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-1-24 16:10:00

PTFA211801E規(guī)格書(shū)詳情

PTFA211801E屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFA211801E晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    PTFA211801E V4 R250

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻

  • 包裝：

    卷帶（TR）

  • 晶體管類(lèi)型：

    LDMOS

  • 頻率：

    2.14GHz

  • 增益：

    15.5dB

  • 額定電流（安培）：

    10μA

  • 功率 - 輸出：

    35W

  • 封裝/外殼：

    H-36260-2

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    H-36260-2

  • 描述：

    FET RF 65V 2.14GHZ H-36260-2

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
INFINEO
高頻管
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