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PTFB201402FCV1R0XTMA1

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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