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PTFB212507SH

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB212507SHV2R2

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB212507SHV2R2XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PTFB212507SHV1R250XTMA1

包裝：卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 描述：IC AMP RF LDMOS

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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更多PTFB212507SH供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-14 10:30:00

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