PTFB211501F 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 射頻 INFINEON/英飛凌

原廠料號(hào)：PTFB211501F品牌：INFINEON

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PTFB211501F是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝NA/2-扁平封裝，葉片引線，帶法蘭的PTFB211501F晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場(chǎng)控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號(hào)或功率的晶體管類(lèi)型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。

• 芯片型號(hào)：

  PTFB211501F

• 規(guī)格書(shū)：

  下載 下載2

• 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

  INFINEON【英飛凌】詳情

• 廠商全稱(chēng)：

  Infineon Technologies AG

• 中文名稱(chēng)：

  英飛凌科技股份公司

• 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

  13 頁(yè)

• 文件大小：

  351.15 kb

• 資料說(shuō)明：

  Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs