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PTFB211803ELV1R0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
PTFB211803ELV1R0 |
| 參數(shù)屬性 | PTFB211803ELV1R0 封裝/外殼為H-33288-6；包裝為卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻；產(chǎn)品描述：IC AMP RF LDMOS H-33288-6 |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs |
| 封裝外殼 | H-33288-6 |
| 文件大小 |
819.39 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
14 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-1-23 8:46:00 |
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更多PTFB211803ELV1R0規(guī)格書詳情
PTFB211803ELV1R0屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-FETMOSFET-射頻。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的PTFB211803ELV1R0晶體管 - FET，MOSFET - 射頻射頻晶體管、FET 和 MOSFET 是具有三個端子的半導(dǎo)體器件，器件中電流受電場控制。該系列器件用于涉及射頻的設(shè)備。用于放大或切換信號或功率的晶體管類型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 溝道、P 溝道、pHEMT、碳化硅、2 N 溝道和 4 N 溝道。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
PTFB211803ELV1R0XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 射頻
- 包裝：
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型：
LDMOS
- 頻率：
2.17GHz
- 增益：
17.5dB
- 功率 - 輸出：
40W
- 封裝/外殼：
H-33288-6
- 供應(yīng)商器件封裝：
H-33288-6
- 描述：
IC AMP RF LDMOS H-33288-6
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飛凌 |
24+ |
H-34288-4 |
15000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
2022+ |
H-34288-4 |
57550 |
詢價 | |||
Infineon Technologies |
2022+ |
H-33288-6 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
H-34288-4 |
89630 |
當天發(fā)貨全新原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
21+ |
H-33288-6 |
20000 |
100%進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營)! |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原裝 |
5000 |
原裝正品,提供BOM配單服務(wù) |
詢價 | ||
INFINEON |
2017+ |
NA |
28562 |
只做原裝正品假一賠十! |
詢價 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
H332886 |
9000 |
原廠渠道,現(xiàn)貨配單 |
詢價 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
8000 |
只做原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
INFINEON/英飛凌 |
23+ |
11200 |
原廠授權(quán)一級代理、全球訂貨優(yōu)勢渠道、可提供一站式BO |
詢價 |
