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PTFC270051MV2R1K中文資料英飛凌數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

PTFC270051MV2R1K
廠商型號

PTFC270051MV2R1K

功能描述

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 5 W, 28 V, 900 ??2700 MHz

文件大小

293.33 Kbytes

頁面數(shù)量

14

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-11 8:30:00

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PTFC270051MV2R1K規(guī)格書詳情

Description

The PTFC270051M is an unmatched 5-watt LDMOS FET suitable for power amplifi er applications with frequencies from 900 MHz to 2700 MHz. This LDMOS transistor offers excellent gain, effi ciency and linearity performance in a small overmolded plastic package.

Features

? Unmatched

? Typical CW performance, 940 MHz, 28 V

? ?- Output power (P1dB) = 6.5 W

? ?- Gain = 23 dB

? ?- Effi ciency = 62

? Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V

? ?- Output power (P1dB) = 7.3 W

? ?- Gain = 20.3 dB

? ?- Effi ciency = 60

? Typical CW performance, 2655 MHz, 28 V

? ?- Output power (P1dB) = 7.3 W

? ?- Gain = 19.9 dB

? ?- Effi ciency = 59.5

? Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 5 W (CW)

? ?output power

? Integrated ESD protection: Human Body Model

? ?Class 1A (per JESD22-A114)

? Pb-free and RoHS compliant

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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