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PXAC210552MD

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 ??2170 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC210552FC

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET55W,28V,1805??2170MHz

CreeCree, Inc

科銳

PXAC210552FC

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET55W,28V,1805??2170MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

PXAC210552FC

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET55W,28V,1805–2170MHz

Description ThePXAC210552FCisa55-wattLDMOSFETwithanasymmetric designforuseinmulti-standardcellularpoweramplifierapplications inthe1805to2170MHzfrequencyband.Itfeaturesdual-pathdesign, inputandoutputmatching,andathermally-enhancedpackagewith earlessflange.

WOLFSPEED

WOLFSPEED, INC.

PXAC210552ND

Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFET55W,28V,1805??2170MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

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獨(dú)立分銷(xiāo)商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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更多PXAC210552MD供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-12-24 10:18:00