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PZT651T1G 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個 ONSEMI/安森美半導體
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原廠料號:PZT651T1G品牌:ON
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PZT651T1G是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個。制造商ON/onsemi生產(chǎn)封裝N/A/TO-261-4,TO-261AA的PZT651T1G晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個分立式雙極結型晶體管 (BJT) 通常在音頻、無線電及其他應用中用于構建模擬信號放大功能。作為大批量生產(chǎn)的第一批半導體器件之一,對于涉及高頻開關和在大電流或高電壓下工作的應用而言,它們的特性相比某些器件類型不占優(yōu)勢,但對于需要以極小的噪聲和失真構建模擬信號的應用而言,它們仍然是首選技術。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
PZT651T1G
- 制造商:
onsemi
- 類別:
- 包裝:
剪切帶(CT)帶盒(TB)
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
500mV @ 200mA,2A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
75 @ 1A,2V
- 頻率 - 躍遷:
75MHz
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-261-4,TO-261AA
- 供應商器件封裝:
SOT-223(TO-261)
- 描述:
TRANS NPN 60V 2A SOT223
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