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R107

Operate on the main AC line 100V and 200V

OperateonthemainACline100Vand200V

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

R108

Operate on the main AC line 100V and 200V

OperateonthemainACline100Vand200V

SankenSanken electric

三墾三墾電氣株式會社

R1080

PHOTOMULTIPLIER TUBE

ForAstro-PhysicsandOtherUltra-VioletRadiationDetection 13mm(1/2Inch)Diameter,Head-on,10-Stage,Cs-TePhotocathode

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學株式會社

R1081

PHOTOMULTIPLIER TUBE

PHOTOMULTIPLIERTUBE ForVUVDetection,13mm(1/2Inch)Diameter,10-stage,Head-OnType,SolarBlindResponse(115nmto200nm)

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

濱松光子濱松光子學株式會社

R10DS0104EJ0200

4Mb Advanced LPSRAM (512-kword × 8-bit)

Description TheR1LP0408DSeriesisafamilyof4-MbitstaticRAMsorganized512-kword×8-bit,fabricatedbyRenesas’s high-performanceCMOSandTFTtechnologies.TheR1LP0408DSerieshasrealizedhigherdensity,higher performanceandlowpowerconsumption.TheR1LP0408DSeriesofferslowpow

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瑞薩瑞薩科技有限公司

R10DS0165EJ0203

72-Mbit QDR?II SRAM 4-word Burst

Description TheR1Q3A7236isa2,097,152-wordby36-bitandtheR1Q3A7218isa4,194,304-wordby18-bit synchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsixtransistormemorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryandaburstcoun

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R10DS0175EJ0011

72-Mbit QDR?II SRAM 2-word Burst

Description TheR1Q2A7236isa2,097,152-wordby36-bit,theR1Q2A7218isa4,194,304-wordby18-bit,andthe R1Q2A7209isa8,388,608-wordby9-bitsynchronousquaddataratestaticRAMfabricatedwithadvanced CMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistormemorycell.Itintegratesuniquesy

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R10DS0177EJ0011

72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst

Description TheR1Q4A7236isa2,097,152-wordby36-bitandtheR1Q4A7218isa4,194,304-wordby18-bitsynchronous doubledataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryandaburst

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R10DS0180EJ0011

72-Mbit QDR?II SRAM 4-word Burst

Description TheR1Q#A7236isa2,097,152-wordby36-bitandtheR1Q#A7218isa4,194,304-wordby18-bitsynchronous quaddataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistormemory cell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryandaburstco

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R10DS0184EJ0011

72-Mbit DDRII SRAM 2-word Burst

Description TheR1Q#A7236isa2,097,152-wordby36-bitandtheR1Q#A7218isa4,194,304-wordby18-bitsynchronous doubledataratestaticRAMfabricatedwithadvancedCMOStechnologyusingfullCMOSsix-transistor memorycell.Itintegratesuniquesynchronousperipheralcircuitryandaburst

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替換型號

晶體管資料

  • 型號：

    R10

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-N+R

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （SW）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號：

    KSR1110,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號：

    H-15

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    R10

  • 制造商：

    Mechatronics Bearing Group

  • 類別：

    五金件，緊固件，配件 > 軸承

  • 系列：

    R

  • 包裝：

    散裝

  • 類型：

    滾珠軸承

  • 內(nèi)徑：

    0.625"（15.88mm）5/8"

  • 外徑：

    1.375"（34.93mm）

  • 寬度：

    0.281"（7.14mm）9/32"

  • 材料：

    軸承鋼

  • 額定靜載荷：

    565 磅

  • 額定動載荷：

    970 磅

  • 特性：

    開路

  • 描述：

    BALL BEARING 0.625X1.375X0.3438

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
N/A
1950+
QFN
6852
只做原裝正品現(xiàn)貨!或訂貨假一賠十!
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N/A
23+
QFN
15000
一級代理原裝現(xiàn)貨
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RICOH/理光
22+
TO89-6
3000
原裝正品,支持實單
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RICOH
2310+
TO89-6
3886
優(yōu)勢代理渠道,原裝現(xiàn)貨,可全系列訂貨
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2000
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全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢
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23+
QFN
5000
原裝正品,假一罰十
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25+
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24+
5000
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