R1EV58064BDARBI#B2_集成電路（IC） 存儲器-瑞薩

原廠料號：R1EV58064BDARBI#B2品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說明：IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP

R1EV58064BDARBI#B2是集成電路（IC） > 存儲器。制造商RENESAS/瑞薩生產(chǎn)封裝28-DIP（0.600"，15.24mm）的R1EV58064BDARBI#B2存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

• 芯片型號：

  r1ev58064bdarbi%23b2

• 規(guī)格書：

  原廠下載 下載

• 企業(yè)簡稱：

  RENESAS【瑞薩】詳情

• 廠商全稱：

  Renesas Technology Corp

• 中文名稱：

  瑞薩科技有限公司

• 資料說明：

  IC EEPROM 64KB C-MOS 28DIP