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R1RW0408DGE-2PR#B0_集成電路（IC） 存儲器-Renesas Electronics America Inc

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1+
  • 廠家型號：

    R1RW0408DGE-2PR#B0

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 包裝：

    散裝

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-3 15:05:00

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原廠料號：R1RW0408DGE-2PR#B0品牌：Renesas Electronics America Inc

資料說明：IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

R1RW0408DGE-2PR#B0是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）的R1RW0408DGE-2PR#B0存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    r1rw0408dge-2pr%23b0

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    R1RW0408DGE-2PR#B0

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    散裝

  • 存儲器類型：

    易失

  • 存儲器格式：

    SRAM

  • 技術(shù)：

    SRAM

  • 存儲容量：

    4Mb（512K x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    12ns

  • 電壓 - 供電：

    3V ~ 3.6V

  • 工作溫度：

    0°C ~ 70°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    36-BSOJ（0.400"，10.16mm 寬）

  • 供應商器件封裝：

    36-SOJ

  • 描述：

    IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
 詢價
Renesas Electronics Corporatio
23+/24+
36-BSOJ
8600
只供原裝進口公司現(xiàn)貨+可訂貨
 詢價
Renesas Electronics America In
24+
36-BSOJ(0.400 10.16mm 寬)
9350
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證
 詢價
RENESAS
24+
SOJ
188
詢價
RENESAS
08+
SOJ44
4600
全新原裝進口自己庫存優(yōu)勢
 詢價
RENESAS
23+
SOJ
8890
價格優(yōu)勢/原裝現(xiàn)貨/客戶至上/歡迎廣大客戶來電查詢
 詢價
RENESAS
17+
SOJ44
9988
只做原裝進口,自己庫存
 詢價
RENESAS
2006+
SOJ
188
原裝現(xiàn)貨海量庫存歡迎咨詢
 詢價
RENESAS/瑞薩
24+
65230
詢價
RENESAS
23+
soj-44
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價

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