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BC3406

Marking：R6；Package：SOT-23；Plastic-Encapsulate MOSFETS

DESCRIPTION TheBC3406useadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellent RDS(ON)andlowgatecharge.Thisdeviceissuitableforuseasa loadswitchorinPWMapplications.

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

BCM847DS

Marking：R6；Package：SC-74；NPN/NPN matched double transistor

1.Generaldescription NPN/NPNmatcheddoubletransistorinaSOT457(SC-74)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package.Thetransistorsarefullyisolatedinternally. PNP/PNPcomplement:BMC857DS 2.Featuresandbenefits ?Currentgainmatching ?Base-emittervoltagematching ?Drop-in

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX84-B6V8

Marking：R6；Package：SOT23；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription Low-powervoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. ThediodesareavailableinthenormalizedE24±1(BZX84-A),±2(BZX84-B)and approximately±5(BZX84-C)tolerancerange.Theseriesincludes37breakdownvolt

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX84-B6V8-Q

Marking：R6；Package：TO-236AB；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription Low-powervoltageregulatordiodesinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. ThediodesareavailableinthenormalizedE24±1(BZX84-A),±2(BZX84-B)and approximately±5(BZX84-C)tolerancerange.Theseriesincludes37breakdownvolt

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX84W-C12

Marking：R6；Package：SOT323；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOT323(SC-70)leadlessverysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Wideworkingvoltagerange:nominal2.4Vto75V(E24range) ?Twotoleranceseries:±2and±5 3.Applications ?Gene

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

BZX84W-C12-Q

Marking：R6；Package：SC-70；Voltage regulator diodes

1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOT323(SC-70)leadlessverysmallSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits ?Wideworkingvoltagerange:nominal2.4Vto75V(E24range) ?Twotoleranceseries:±2and±5 ?Qualifiedaccordingto

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

ISL9016IRUBBZ-T

Marking：R6；Package：6Ld??TDFN；150mA Dual LDO with Low Noise, High PSRR, and Low IQ

150mADualLDOwithLowNoise,HighPSRR,andLowIQ ISL9016isahighperformancedualLDOcapableofprovidingupto150mAcurrentoneachchannel.ItfeaturesalowstandbycurrentandveryhighPSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1μFto4.7μFwithanESRofupto200mΩ. Features ?

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

MBR0560

Marking：R6；Package：SOD-123；SOD-123 Plastic-Encapsulate Diodes

Features LeadFreeFinish/RoHSCompliant ExtremelyLowThermalResistance ForSurfaceMountApplicationandHighCurrent Capability

UNSEMIUN Semiconducctor INC

優(yōu)恩半導(dǎo)體深圳市優(yōu)恩半導(dǎo)體有限公司

PMP4501G

Marking：R6；Package：SC-88A；NPN/NPN matched double transistors

Features *Currentgainmatching *Base-emittervoltagematching *CommonemitterconfigurationforSOT353types *Application-optimizedpinout

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

PMV30ENEA

Marking：R6；Package：TO-236AB；40 V N-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits ?Logic-levelcompatible ?ExtendedtemperaturerangeTj=175°C ?TrenchMOSFE

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安世安世半導(dǎo)體(中國)有限公司

替換型號(hào)

晶體管資料

  • 型號(hào)：

    R60

  • 別名：

    三極管、晶體管、晶體三極管

  • 生產(chǎn)廠家：

  • 制作材料：

    Si-P+R

  • 性質(zhì)：

    開關(guān)管 （SW）

  • 封裝形式：

    貼片封裝

  • 極限工作電壓：

  • 最大電流允許值：

    0.1A

  • 最大工作頻率：

    <1MHZ或未知

  • 引腳數(shù)：

    3

  • 可代換的型號(hào)：

    KSR2110,

  • 最大耗散功率：

  • 放大倍數(shù)：

  • 圖片代號(hào)：

    H-15

  • vtest：

    0

  • htest：

    999900

  • atest：

    0.1

  • wtest：

    0

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    R6

  • 制造商：

    Enhance Technology

  • 功能描述：

    ENHANCERAID R6 - 2U - Bulk

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更多R6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-22 23:00:00

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