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RCX100N25

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

RCX100N25

SILICON N-CHANNEL MOS FET

ROHMRohm

羅姆羅姆半導體集團

RCX100N25

Package：TO-220-3 整包；包裝：袋 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - FET，MOSFET - 單個 描述：MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

IXFH100N25P

PolarHTHiPerFETPowerMOSFET

IXYS

IXYS Corporation

IXFK100N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=27mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCc

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFK100N25

HiPerFETPowerMOSFETs

HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie Features ?Internationalstandardpackages ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwitching(UIS)rated ?Lowpackageinductance -easytodriveandtoprotect ?Fastintrinsicrectifier Ap

IXYS

IXYS Corporation

IXFN100N25

N-ChannelEnhancementModeAvalancheRated,Highdv/dt,Low

HiPerFETPowerMOSFETs SingleMOSFETDie N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?Internationalstandardpackage ?miniBLOC,withAluminiumnitrideisolation ?LowRDS(on)HDMOSTMprocess ?Ruggedpolysilicongatecellstructure ?UnclampedInductiveSwi

IXYS

IXYS Corporation

IXFR100N25

HiPerFETPowerMOSFETsISOPLUS247

HiPerFET?PowerMOSFETsISOPLUS247?(ElectricallyIsolatedBackside) N-ChannelEnhancementMode AvalancheRated,Highdv/dt,Lowtrr Features ?SiliconchiponDirect-Copper-Bondsubstrate -Highpowerdissipation -Isolatedmountingsurface -2500Velectricalisolation ?Lowd

IXYS

IXYS Corporation

IXFR100N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=100A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=27mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

IXFX100N25

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=25.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=37mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCco

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    RCX100N25

  • 制造商：

    Rohm Semiconductor

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 單個

  • 包裝：

    袋

  • FET 類型：

    N 通道

  • 技術(shù)：

    MOSFET（金屬氧化物）

  • 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    10A（Ta）

  • 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：

    10V

  • Vgs（最大值）：

    ±30V

  • 功率耗散（最大值）：

    40W（Tc）

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 供應商器件封裝：

    TO-220FM

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 描述：

    MOSFET N-CH 250V 10A TO220FM

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
ROHM
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TO-220F
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進口原裝現(xiàn)貨供應,原裝 假一罰十
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更多RCX100N25供應商 更新時間2025-5-7 9:50:00

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