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RF5L08600CB4

650 W, 50 V, 0.4 to 1 GHz RF power LDMOS transistor

Features ?Highefficiencyandlineargainoperations ?IntegratedESDprotection ?Internallymatchedpairtransistorsinpush-pullconfiguration ?Largepositiveandnegativegate-sourcevoltagerangeforimprovedclassC operation ?Excellentthermalstability,lowHCIdrift ?Incomplia

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多RF5L08600CB4供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-10 14:22:00

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