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RFP3055	文件：82.17 Kbytes Page：8 Pages	12A,60V,0.150Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP3055	文件：418.34 Kbytes Page：8 Pages	12A,60V,0.150Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstanda specifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFP3055	文件：118.15 Kbytes Page：8 Pages	12A,60V,AvalancheRated,N-ChannelEnhancement-ModePowerMOSFETs(MegaFETs) Description TheRFD3055,RFD3055SMandRFP3055N-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedfor	HARRIS Harris Corporation	HARRIS
RFP3055LE	文件：416.36 Kbytes Page：8 Pages	11A,60V,0.107Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseN-Channelenhancement-modepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
RFP3055LE	文件：86.26 Kbytes Page：8 Pages	11A,60V,0.107Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs TheseN-Channelenhancement-modepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFP3055LE	文件：1.08947 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
RFT3055	文件：96.11 Kbytes Page：10 Pages	2.0A,60V,0.150Ohm,N-Channel,LogicLevel,ESDRated,PowerMOSFET ThisproductisanN-ChannelpowerMOSFETmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itwasdesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulato	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFT3055LE	文件：96.11 Kbytes Page：10 Pages	2.0A,60V,0.150Ohm,N-Channel,LogicLevel,ESDRated,PowerMOSFET ThisproductisanN-ChannelpowerMOSFETmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Itwasdesignedforuseinapplicationssuchasswitchingregulato	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RJP3055DPP	文件：136.18 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFETsandIGBTforPDP	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RK3055	文件：135.22 Kbytes Page：4 Pages	Smallswitching(60V,8A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)WideSOA(safeoperatingarea). 4)Low-voltagedrive. 5)Easilydesigneddrivecircuits. 6)Easytouseinparallel. Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
RK3055E	文件：135.22 Kbytes Page：4 Pages	Smallswitching(60V,8A) Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)WideSOA(safeoperatingarea). 4)Low-voltagedrive. 5)Easilydesigneddrivecircuits. 6)Easytouseinparallel. Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
RK3055E	文件：95.79 Kbytes Page：5 Pages	10VDriveNchMOSFET	ROHMRohm 羅姆羅姆半導(dǎo)體集團	ROHM
S3055	文件：521.059 Kbytes Page：13 Pages	5CHBTLMotorDriveIC	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光電子集團	KODENSHI
SFD3055	文件：971.92 Kbytes Page：7 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分類制造商未分類制造商	ETC1
SFD3055	文件：1.01573 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SFD3055L	文件：972.14 Kbytes Page：7 Pages	LogicN-ChannelMOSFET	semiWell SemiWell Semiconductor	semiWell
SGM3055	文件：1.27514 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SID3055	文件：1.59435 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMos.FET	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SID3055	文件：960.7 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司	VBSEMI
SPN3055	文件：205.84 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET DESCRIPTION TheSPN3055istheN-Channellogicenhancementmode powerfieldeffecttransistorsareproducedusinghighcell density,DMOStrenchtechnology. Thishighdensityprocessisespeciallytailoredto minimizeon-stateresistance.Thesedevicesare particularlysuitedfo	SYNC-POWERSYNC POWER Crop. 擎力科技擎力科技股份有限公司	SYNC-POWER

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詳細參數(shù)

型號：
RFD3055SM_Q
功能描述：
MOSFET Power MOSFET N-Ch 6V/12a/.15 Ohm
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	RFD3055SM9A		24+		5000	公司存貨	詢價
深圳市佳鑫美電子科技有限公司	RFD3055SM9A	飛利浦	24+	TO-252	4897	絕對原裝!現(xiàn)貨熱賣!	詢價
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上海意淼電子科技有限公司	RFD3055SM9A	TI	23+	TO-263	12000	全新原裝假一賠十	詢價
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深圳市盈宏半導(dǎo)體科技有限公司	RFD3055SM9A	HARRIS	9806+	TO-252	10	剛到現(xiàn)貨加微13425146986	詢價

更多RFD3055SM_Q供應(yīng)商更新時間2025-1-7 10:20:00

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