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RFG75N05E中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

RFG75N05E
廠商型號(hào)

RFG75N05E

功能描述

75A, 50V, 0.008 Ohm, N-Channel Power MOSFET

文件大小

53.84 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

6 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-3 22:21:00

RFG75N05E規(guī)格書(shū)詳情

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors. They are advanced power MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of these power MOSFETs are designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers, and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Formerly developmental type TA09821.

Features

? 75A, 50V

? rDS(ON) = 0.008?

? Electrostatic Discharge Rated

? UIS Rating Curve (Single Pulse)

? 175°C Operating Temperature

? Temperature Compensated PSPICE? Model Provided

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFG75N05E

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

  • 制造商:

    Harris Corporation

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