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RFL1N10L中文資料Intersil數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

RFL1N10L
廠商型號(hào)

RFL1N10L

功能描述

1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET

文件大小

29.9 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Intersil Corporation
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Intersil

中文名稱

Intersil Corporation官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-30 10:20:00

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RFL1N10L規(guī)格書詳情

Description

This is an N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor specifically designed for use with logic level (5V) driving sources in applications such as programmable controllers, automotive switching, and solenoid drivers. This performance is accomplished through a special gate oxide design which provides full rated conduction at gate biases in the 3V to 5V range, thereby facilitating true on-off power control directly from logic circuit supply voltages.

Features

? 1A, 100V

? rDS(ON) = 1.200?

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    RFL1N10L

  • 制造商:

    INTERSIL

  • 制造商全稱:

    Intersil Corporation

  • 功能描述:

    1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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