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AUIRG4PH50S	文件：236.24 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ●Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
G4PH50KD	文件：224.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.77V,@Vge=15V,Ic=24A)	IRF International Rectifier	IRF
G4PH50UD	文件：229.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH50	文件：229.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH50K	文件：92.62 Kbytes Page：6 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.77V,@Vge=15V,Ic=24A) INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ●Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V ●Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ●Latestgenerationdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficien	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH50KD	文件：224.72 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.77V,@Vge=15V,Ic=24A)	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4PH50KPBF	文件：327.93 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features ?Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10μs,VCC=720V,TJ=125°C,VGE=15V Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed ?Latestgenerationdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneratio	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH50S	文件：130.71 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=1.47V,@Vge=15V,Ic=33A)	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH50S-EPBF	文件：225.55 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH50S-EPBF	文件：225.55 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF
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IRG4PH50U	文件：134.14 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?Optimizedforpowerconversion;SMPS,UPS and	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH50U	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH50U	文件：358.91 Kbytes Page：3 Pages	UltraFastSpeedIGBT FEATURES ·UltrafastOptimizesforhighoperatingfrequencies ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·Highestefficiencyavailable ·Optimaizedforpowerconversion;UPS,SMPSandwelding	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRG4PH50UD	文件：375.85 Kbytes Page：3 Pages	IGBT DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=2.56V@IC=20A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·FastSwitching APPLICATIONS ·InductionHeating,UPS ·AC&DCmotorcontrolsandgeneralpurposeinverters	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
IRG4PH50UD	文件：229.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.78V,@Vge=15V,Ic=24A) Features ?UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode ?NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations ?IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRF International Rectifier	IRF

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