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RGS80TS65HR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

RGS80TS65HR
廠商型號(hào)

RGS80TS65HR

參數(shù)屬性

RGS80TS65HR 封裝/外殼為T(mén)O-247-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT.

功能描述

650V 40A Field Stop Trench IGBT
650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT.

文件大小

405.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

10 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ROHM羅姆

中文名稱(chēng)

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 23:00:00

RGS80TS65HR規(guī)格書(shū)詳情

?Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) Short Circuit Withstand Time 8μs

3) Qualified to AEC-Q101

4) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

?Application

Heater for Automotive

RGS80TS65HR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的RGS80TS65HR晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RGS80TS65HRC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • IGBT 類(lèi)型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,40A

  • 開(kāi)關(guān)能量:

    1.05mJ(開(kāi)),1.03mJ(關(guān))

  • 輸入類(lèi)型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    37ns/112ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,40A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247N

  • 描述:

    650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT.

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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