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RGS80TSX2DHR分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RGS80TSX2DHR
廠商型號(hào)

RGS80TSX2DHR

參數(shù)屬性

RGS80TSX2DHR 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

功能描述

1200V 40A Field Stop Trench IGBT
1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

文件大小

1.04393 Mbytes

頁面數(shù)量

13

生產(chǎn)廠商 Rohm
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ROHM羅姆

中文名稱

羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-11-15 23:00:00

RGS80TSX2DHR規(guī)格書詳情

Features

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) Short Circuit Withstand Time 10μs

3) Qualified to AEC-Q101

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Application

General Inverter

for Automotive and Industrial Use

RGS80TSX2DHR屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的RGS80TSX2DHR晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RGS80TSX2DHRC11

  • 制造商:

    Rohm Semiconductor

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.1V @ 15V,40A

  • 開關(guān)能量:

    3mJ(開),3.1mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    49ns/199ns

  • 測(cè)試條件:

    600V,40A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247N

  • 描述:

    1200V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
ROHM(羅姆)
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