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RGT30NS65D 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ROHM/羅姆
- 詳細(xì)信息
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原廠料號(hào):RGT30NS65D品牌:ROHM-羅姆
一一有問必回一特殊渠道一有長(zhǎng)期訂貨一備貨HK倉(cāng)庫(kù)
RGT30NS65D是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ROHM-羅姆/Rohm Semiconductor生產(chǎn)封裝SOT-323/TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB的RGT30NS65D晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
RGT30NS65DGTL
- 制造商:
Rohm Semiconductor
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場(chǎng)截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,15A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
18ns/64ns
- 測(cè)試條件:
400V,15A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-40°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝:
LPDS
- 描述:
IGBT 650V 30A 133W TO-263S
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市驚羽科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
劉先生
- 手機(jī):
13147005145
- 詢價(jià):
- 電話:
131-4700-5145
- 傳真:
075583040836
- 地址:
深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2031室
相近型號(hào)
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