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RJH1BF6R 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RENESAS/瑞薩

RJH1BF6R參考圖片

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原廠料號(hào)：RJH1BF6R品牌：RENESAS/瑞薩

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RJH1BF6R是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RENESAS/瑞薩/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝NA//TO-247-3的RJH1BF6R晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類(lèi)型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào)：

    RJH1BF6RDPQ-80

  • 規(guī)格書(shū)：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)：

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱(chēng)：

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱(chēng)：

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù)：

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    107.12 kb

  • 資料說(shuō)明：

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類(lèi)型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    RJH1BF6RDPQ-80#T2

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類(lèi)別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.7V @ 15V，55A

  • 輸入類(lèi)型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類(lèi)型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247

  • 描述：

    IGBT 1100V 55A 227.2W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市得捷芯城科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    肖先生

  • 手機(jī)：

    19076157484

  • 詢(xún)價(jià)：
  • 電話(huà)：

    0755-82538261

  • 傳真：

    0755-82539558

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)福田街道福虹路9號(hào)世貿(mào)廣場(chǎng)A座5層

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