RJH1CF6RDPQ-80 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 RENESAS/瑞薩

RJH1CF6RDPQ-80參考圖片

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
1000+
  • 廠家型號(hào):

    RJH1CF6RDPQ-80

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    RENESAS/瑞薩

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    18800

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-247-3

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    24+25+/26+27+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-11-16 16:16:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號(hào):RJH1CF6RDPQ-80品牌:RENESAS-瑞薩

一一有問必回一特殊渠道一有長(zhǎng)期訂貨一備貨HK倉(cāng)庫(kù)

RJH1CF6RDPQ-80是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RENESAS-瑞薩/Renesas Electronics America Inc生產(chǎn)封裝TO-247-3的RJH1CF6RDPQ-80晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    RJH1CF6RDPQ-80

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱:

    瑞薩科技有限公司

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    7 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    105.55 kb

  • 資料說(shuō)明:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RJH1CF6RDPQ-80#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,30A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 1200V 55A 227.2W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市驚羽科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    劉先生

  • 手機(jī):

    13147005145

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    131-4700-5145

  • 傳真:

    075583040836

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)深南中路3037號(hào)南光捷佳大廈2031室