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RJH1CF6RDPQ-80分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJH1CF6RDPQ-80
廠商型號

RJH1CF6RDPQ-80

參數(shù)屬性

RJH1CF6RDPQ-80 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 1200V 55A 227.2W TO247

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
IGBT 1200V 55A 227.2W TO247

文件大小

105.55 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2024-11-16 20:00:00

RJH1CF6RDPQ-80規(guī)格書詳情

RJH1CF6RDPQ-80屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。瑞薩科技有限公司制造生產(chǎn)的RJH1CF6RDPQ-80晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    RJH1CF6RDPQ-80#T2

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    2.3V @ 15V,30A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247

  • 描述:

    IGBT 1200V 55A 227.2W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
RENESAS/瑞薩
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