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RJH60F0DPQ-A0分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
RJH60F0DPQ-A0 |
參數(shù)屬性 | RJH60F0DPQ-A0 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A |
功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
封裝外殼 | TO-247-3 |
文件大小 |
112.47 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
8 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-5-29 17:59:00 |
人工找貨 | RJH60F0DPQ-A0價格和庫存,歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
RJH60F0DPQ-A0規(guī)格書詳情
Features
? Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.4 V typ. (at IC = 25 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
? Built in fast recovery diode in one package
? Trench gate and thin wafer technology
? High speed switching
tf = 90 ns typ. (at IC = 30 A, VCC = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
RJH60F0DPQ-A0#T0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.82V @ 15V,25A
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關)值:
46ns/70ns
- 測試條件:
400V,30A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應商器件封裝:
TO-247A
- 描述:
IGBT 600V 50A 201.6W TO-247A
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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