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RJH60F5DPK分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號(hào) |
RJH60F5DPK |
參數(shù)屬性 | RJH60F5DPK 封裝/外殼為TO-220-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P |
功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
封裝外殼 | TO-220-3 整包 |
文件大小 |
199.09 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識(shí) | |
數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
更新時(shí)間 | 2025-1-31 23:00:00 |
RJH60F5DPK規(guī)格書詳情
Features
? High speed switching
? Low on-state voltage
? Fast recovery diode
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號(hào):
RJH60F5DPK-00#T0
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝道
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
1.8V @ 15V,40A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
53ns/105ns
- 測(cè)試條件:
400V,30A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-220-3 整包
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P
- 描述:
IGBT 600V 80A 260.4W TO-3P
供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
NA/ |
1000 |
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詢價(jià) | ||
瑞薩 |
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58000 |
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詢價(jià) | ||
RENESAS/瑞薩 |
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RENESAS/瑞薩 |
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6 |
詢價(jià) | |||
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原裝正品 |
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