RJH60F6BDPQ-A0#T0_分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管-UGBT、MOSFET-單-瑞薩

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原廠料號(hào):RJH60F6BDPQ-A0#T0品牌:Renesas Electronics America Inc

資料說(shuō)明:IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A

RJH60F6BDPQ-A0#T0是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商RENESAS/瑞薩生產(chǎn)封裝TO-247-3的RJH60F6BDPQ-A0#T0晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    rjh60f6bdpq-a0%23t0

  • 規(guī)格書(shū):

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    RENESAS【瑞薩】詳情

  • 廠商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 中文名稱:

    瑞薩科技有限公司

  • 資料說(shuō)明:

    IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    RJH60F6BDPQ-A0#T0

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.75V @ 15V,45A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:

    58ns/131ns

  • 測(cè)試條件:

    400V,30A,5 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247A

  • 描述:

    IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A

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