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RJH60F6BDPQ-A0分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

RJH60F6BDPQ-A0
廠商型號

RJH60F6BDPQ-A0
參數(shù)屬性

RJH60F6BDPQ-A0 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A
功能描述

600V - 45A - IGBT High Speed Power Switching
封裝外殼

TO-247-3
文件大小

101.99 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS【瑞薩】

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-31 23:00:00

RJH60F6BDPQ-A0規(guī)格書詳情

Features

Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)

Built in fast recovery diode in one package

Trench gate and thin wafer technology

High speed switching

tf= 74 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 ?, Ta = 25°C, inductive load)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    RJH60F6BDPQ-A0#T0

  • 制造商：

    Renesas Electronics America Inc

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝道

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.75V @ 15V，45A

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    58ns/131ns

  • 測試條件：

    400V，30A，5 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247A

  • 描述：

    IGBT 600V 85A 297.6W TO-247A

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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