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RJH60F6DPQ-A0-T0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJH60F6DPQ-A0-T0
廠商型號

RJH60F6DPQ-A0-T0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

113.7 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-31 23:00:00

RJH60F6DPQ-A0-T0規(guī)格書詳情

Features

? Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.35 V typ. (at IC= 45 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)

? Built in fast recovery diode in one package

? Trench gate and thin wafer technology

? High speed switching

tf= 74 ns typ. (at IC= 30 A, VCE= 400 V, VGE= 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJH60F6DPQ-A0-T0

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
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300
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