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RJH60F6DPQ-A0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F6DPQ-A0-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=45A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

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瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F6DPQ-A0_15

600 V - 45 A - IGBT High Speed Power Switching

RENESASRenesas Technology Corp

瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60F6DPQ-A0#T0

Package：TO-247-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 85A 297.6W TO247A

Renesas Electronics America Inc

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    RJH60F6DPQ-A0

  • 制造商：

    RENESAS

  • 制造商全稱：

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述：

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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RENESAS/瑞薩
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TO247A
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更多RJH60F6DPQ-A0供應商 更新時間2021-9-14 10:50:00

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