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RJH60F7	文件：200.79 Kbytes Page：7 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJH60F7	文件：91.42 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
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RJH60F7ADPK-00#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-220-3 整包類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 90A 328.9W TO-3P	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJH60F7BDPQ-A0#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 90A 328.9W TO-247A	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS
RJH60F7DPQ-A0#T0	文件：100 bytes Page：1 Pages	包裝：管件封裝/外殼：TO-247-3 類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 90A 328.9W TO247A	RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司	RENESAS

詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
RJH60F7
制造商：
RENESAS
制造商全稱(chēng)：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市高捷芯城科技有限公司	RJH60F7	Renesas(瑞薩)	23+	標(biāo)準(zhǔn)封裝	8048	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫(kù)存。	詢(xún)價(jià)
深圳市正納電子有限公司	RJH60F7	Renesas(瑞薩)	23+	原廠封裝	32078	10年以上分銷(xiāo)商,原裝進(jìn)口件,服務(wù)型企業(yè)	詢(xún)價(jià)
柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司	RJH60F7	RENESAS	2024+	N/A	70000	柒號(hào)只做原裝現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)	詢(xún)價(jià)
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