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RJH60F7ADPK-00-T0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJH60F7ADPK-00-T0
廠商型號

RJH60F7ADPK-00-T0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

200.79 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-26 8:30:00

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RJH60F7ADPK-00-T0規(guī)格書詳情

Features

Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)

Built in fast recovery diode in one package

Trench gate and thin wafer technology

High speed switching

tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 ?, Ta = 25°C, inductive load)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJH60F7ADPK-00-T0

  • 制造商:

    Renesas Electronics Corporation

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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