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RJP30K3中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJP30K3
廠商型號

RJP30K3

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

99.88 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 18:06:00

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RJP30K3規(guī)格書詳情

Features

? Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

? Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.1V typ

? High speed switching tr = 90 ns typ, tf = 250 ns typ

? Low leak current ICES = 1μA max

? Isolated package TO-220FL

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    RJP30K3

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全稱:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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