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RJP60D0DPK-00-T0

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features ?Shortcircuitwithstandtime(5?styp.) ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Gatetoemittervoltagerating?30V ?Pb-freeleadplatingan

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瑞薩瑞薩科技有限公司

RJH60D0DPK-00-T0

SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter

Features ?Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=

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更多RJP60D0DPK-00-T0供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-10 11:06:00

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