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RJP60D0DPK-00-T0中文資料瑞薩數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

RJP60D0DPK-00-T0
廠商型號

RJP60D0DPK-00-T0

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

文件大小

84.57 Kbytes

頁面數(shù)量

7

生產廠商 Renesas Technology Corp
企業(yè)簡稱

RENESAS瑞薩

中文名稱

瑞薩科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-1-14 16:27:00

RJP60D0DPK-00-T0規(guī)格書詳情

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features

? Short circuit withstand time (5 ?s typ.)

? Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)

? Gate to emitter voltage rating ?30 V

? Pb-free lead plating and chip bonding

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
RENESAS/瑞薩
23+
TO-TO-220F
11200
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