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RJP60D0DPE分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
RJP60D0DPE |
參數(shù)屬性 | RJP60D0DPE 封裝/外殼為SC-83;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 45A 122W LDPAK |
功能描述 | Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching |
封裝外殼 | SC-83 |
文件大小 |
83.09 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
7 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Renesas Technology Corp |
企業(yè)簡稱 |
RENESAS【瑞薩】 |
中文名稱 | 瑞薩科技有限公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-11 20:00:00 |
RJP60D0DPE規(guī)格書詳情
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
Features
? Short circuit withstand time (5 ?s typ.)
? Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)
? Gate to emitter voltage rating ?30 V
? Pb-free lead plating and chip bonding
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
RJP60D0DPE-00#J3
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,22A
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
35ns/90ns
- 測試條件:
300V,22A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
SC-83
- 供應(yīng)商器件封裝:
LDPAK
- 描述:
IGBT 600V 45A 122W LDPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
瑞薩 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
TO-3P |
699839 |
集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī) |
詢價 | |||
RENESAS/瑞薩 |
24+ |
TO-3P |
56000 |
公司進口原裝現(xiàn)貨 批量特價支持 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
LDPAKS |
25000 |
只做原裝進口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
Renesas Electronics America |
2022+ |
4-LDPAK |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
SOT-263 |
20000 |
保證原裝正品,假一陪十 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
LDPAKS |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
22+ |
LDPAKS |
6000 |
十年配單,只做原裝 |
詢價 | ||
RENESAS/瑞薩 |
23+ |
TO-3P |
842 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 |