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RJP60F5DPK

600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Highspeedswitching tf=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5?,Ta=25°C,inductiveload)

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RJP60F5DPK_15

600V - 40A - IGBT High Speed Power Switching

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RJP60F5DPK-01#T0

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 整包 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 80A 260.4W

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RJH60F5

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Builtinfastrecoverydiodeinonepackage ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tr=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg=5Ω

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RJH60F5

600V-40A-IGBTHighSpeedPowerSwitching

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RJH60F5DPK

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

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RJH60F5DPK

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

Features ?Highspeedswitching ?Lowon-statevoltage ?Fastrecoverydiode

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RJP60F5DPM

600V-40A-IGBTHighSpeedPowerSwitching

600V-40A-IGBTHighSpeedPowerSwitching Features ?Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.37Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C) ?Trenchgateandthinwafertechnology ?Highspeedswitching tf=85nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,

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詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào)：

    RJP60F5DPK

  • 制造商：

    Renesas Electronics Corporation

  • 功能描述：

    IGBT - Rail/Tube

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫(kù)存備注價(jià)格
RENESAS
2020+
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80000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開(kāi)13%增
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TO-3P
12300
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證
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全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價(jià)
RENESAS/瑞薩
23+
TO-3P
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
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Renesas
22+
TO3P
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原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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RENESAS/瑞薩
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TO-3P
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原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
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RENESAS/瑞薩
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RENESAS/瑞薩
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一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價(jià)
更多RJP60F5DPK供應(yīng)商 更新時(shí)間2024-11-16 22:30:00

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